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近日,微电子所刘明院士课题组在阻变存储器( RRAM )研究方向取得重要进展,揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制,通过增加离子阻挡层,改善了器件的可靠性,主要研究成果于2016年10月17号发表在Advanced Materials ( DOI : 10.1002 / adma .课题组提出了在Pt电极表面增加离子阻挡层来抑制导电细丝过生长进入Pt电极的解决方案,发展了插入单层石墨烯作为离子阻挡层的新结构器件, TEM结果表明石墨烯插层能够有效阻挡导电细丝过生长进入Pt电极层...
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